記憶體封測廠力成(6239)今日召開法說會,
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,展望DRAM、FLASH、邏輯等產業後市,
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,力成總經理洪嘉鍮指出,
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,隨著庫存去化接近尾聲、終端設備容載量持續提升,
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,無論是報價及需求來看,
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,第三季DRAM、FLASH及邏輯市場的整體展望均相當正面。洪嘉鍮指出,
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,由於DRAM價格首季明顯下滑,
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,全球三大廠均減少標準型記憶體產能,轉而生產行動記憶體,雖然今年上半年庫存水位高,但目前已去化得差不多,近2個月供應吃緊,帶動市場合約價格持續上揚。而行動記憶體容載量也持續提升,洪嘉鍮表示,雖然上半年全球手機需求不佳,但中國市場需求不錯。由於蘋果iPhone 7的容載量預計將自2GB提升至3GB,Android手機則可能自4GB提升到6GB,隨著終端容載量增加,使記憶體堆疊量增加,進而帶動封測需求量。此外,伺服器產品線由於需求量大且單價高,無論是邏輯或記憶體,都是各廠商的兵家必爭之地,預期伺服器記憶體容載量將提升至110GB左右。而應用廣泛的利基型記憶體,目前低容量DRAM嚴重短缺,使力成的重分布製程凸塊(RDL Bumping)產能自2月起持續滿載,現在看來可能一路滿到9月。而FLASH第三季產能同樣呈現吃緊狀態。洪嘉鍮指出,高階手機使用的MCP/MMC容載量增加,主要由於過去蘋果手機以64GB為主力,但iPhone 7會以128G為主,容載量提升將增加對NAND FLASH的需求。洪嘉鍮表示,近期NAND FLASH及MicroSD價格的提升,就是受到需求帶動,而高速SSD除了使用於資料中心外,如簡便型電腦等其他應用也陸續增加,加上製程技術主力轉進15奈米,看好NAND FLASH將是未來帶動成長的重要動力。邏輯業務方面,目前晶圓廠對行動設備的產能吃緊,且終端產品需求將在下半年出現季節性回溫,第三季展望也相當不錯。洪嘉鍮表示,整體而言,包括DRAM、FLASH、邏輯等類型的第三季大環境展望均相當正面,將有助於力成的第三季營運表現。(時報資訊),