全球手機晶片大廠高通(Qualcomm)最新宣布，
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，發表下一代由三星代工基於10奈米FinFET製程的Snapdragon 835處理器，
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，不僅較現有採用14奈米的Snapdragon 820增加27%的效能，
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，這款處理器最大的特色之一在於全新的「Quick Charge 4.0」技術，
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，5分鐘就能充滿5小時電力，
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，預計未來搭載S835的機種可望在2017年上半年問世。根據高通最新消息，高通正式公布下一代的旗艦行動SoC Snapdragon 835。高通表示，Snapdragon 835處理器將會由三星代工，基於10奈米FinFET製程，與現有的14奈米Snapdragon 821相比，體積還要再小上30%，且在相同電壓下能增加27%的效能，同時最多能降低40%的功耗。值得留意的是，高通同時也宣布了全新的快充技術「Quick Charge 4.0」，且配合Quick Charge 4的SMB1380和SMB1381兩款電源管理集成電路(PMIC)，預計今年底前開始提供。高通最新的Quick Charge 4可實現更短更有效率的充電時間，可以在5分鐘內讓行動裝置獲得5小時的通話續航力，較上一代Quick Charge 3.0相比，可提升高達30%的效率，不僅如此，還集成了對USB Type-C和USB-PD的支持，可廣泛適用各種連接線和適配器。高通表示，此款方案使用了高通的INOV技術(Intelligent Negotiation for Optimum Voltge，最佳電壓智慧協調)，能確保快速充電時的電流、電壓與溫度穩定。值得留意的是，Google在近期釋出的Android 7.0相容性文件上，新增對USB Type-C充電規格的規定，已經釋出「強烈建議」所有Type-C裝置支援與標準Type-C充電器的完全相容，因此Quick Charge 4能兼容USB-PD肯定是一件好事。(時報資訊)，