晶圓代工廠聯電昨（14）日宣布與處理器矽智財廠英商安謀（ARM）擴大合作，
VOC回收設備
，聯電將在28奈米高效能低功耗（28HLP）製程上，
聽譯
，提供加入ARM Cortex-A7處理器Artisan實體矽智財（PHY IP）平台與處理器優化套件矽智財（POP IP）。而聯電去年底28奈米已經量產，
加濕器
，今年上半年將放量投片。
聯電表示，
系統櫃設計
，為支援各種不同消費電子產品客戶，
臭氧機製造商
，諸如智慧型手機、平板電腦、無線通訊與數位家庭等，
團體服
，聯電與ARM簽署了此份協議，
雷射植牙
，將提供先進製程以及完整的實體IP平台。
聯電負責矽智財與設計支援的副總經理簡山傑表示，聯電與矽智財供應商密切合作，提供優質設計支援解決方案給客戶，聯電28奈米的雙製程技術藍圖，同時包含了多晶矽氮氧化矽（Poly SiON）與高介電金屬閘極（HKMG）技術，就功耗、效能與面積而言，28HLP是具競爭力的28奈米Poly SiON製程技術，完善的設計平台可協助行動與通訊產品客戶加速其產品上市時程。
高效節能的ARM Cortex-A7處理器現已廣獲智慧型手機、平板電腦、數位電視與其他消費電子產品所採用。結合POP IP所優化的Cortex-A7處理器，在聯電28HLP製程平台的目標效能可達1.2GHz，已於2013年12月推出。
聯電表示，28奈米Poly SiON技術可提供面積，速度與漏電流之間最佳的平衡，因而此製程成為像是可攜式、無線區域網路、消費性手持產品等各種需兼顧低功耗與高效能應用產品的理想選擇。28HLP製程目前已在客戶產品試產階段，預計於2014年初開始量產。
聯電28奈米HKMG製程預估今年上半年進入量產階段，並已開始為手機晶片廠進行試產，法人表示，28奈米將成為聯電今年營收成長的主要動能。，